제조업체 제품 번호:
TSM3N100CP ROG
Product Overview
제조사:
Taiwan Semiconductor Corporation
부품 번호:
TSM3N100CP ROG-DG
설명:
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252
상세 설명:
N-Channel 1000 V 2.5A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
재고:
12896875
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제출
TSM3N100CP ROG 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Taiwan Semiconductor
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Discontinued at Digi-Key
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1000 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
664 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
99W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252 (DPAK)
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
TSM3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
TSM3N100CP ROGCT-DG
TSM3N100CP ROGDKR
TSM3N100CP ROGCT
TSM3N100CP ROGTR
TSM3N100CP ROGDKR-DG
TSM3N100CP ROGTR-DG
TSM3N100CPROGCT
TSM3N100CPROGDKR
TSM3N100CPROGTR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
DIGI 인증
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